Ti纳米颗粒对Ag/ZnO/Pt异质结电阻转变的影响  

作　　者：张建 申玮玮 

机构地区：[1]石家庄铁路运输学校,河北石家庄050051 [2]河北轨道运输职业技术学院,河北石家庄050051

出　　处：《信息记录材料》2019年第10期12-13,共2页Information Recording Materials

摘　　要：采用脉冲激光沉积技术制备了Ag/ZnO/Pt和Ag/ZnO-Ti/Pt阻变存储器。与Ag/ZnO/Pt相比,Ag/ZnO-Ti/Pt的阻变性能得到了显著的改善。对Ti纳米颗粒改善器件电致电阻转变特性的机理进行了定性的分析。

关 键 词：阻变存储器 电阻转变效应 电流-电压特性 脉冲激光沉积 

分 类 号：TM4[电气工程—电器]