浅谈预氧化处理对叠层结构阻变单元的阻变性能改善  

作　　者：周歧刚[1] 

机构地区：[1]乐山师范学院物理与电子工程学院,四川乐山614004

出　　处：《科学与信息化》2019年第32期98-98,共1页Technology and Information

摘　　要：氮不足的ZrNy的表面最容易发生氧化反应,生成较厚的表面层。先对ZrNy表面进行预先氧化处理,方法是在底电极上沉积阻变功能层薄膜之前,预先适当进行表面氧化,再选用标准摩尔生成吉布斯自由能低的ZrO2作为阻变功能层,设计并制备了Pt/ZrOx/ZrON/ZrNy叠层结构阻变单元,在Reset中,阻变功能层能够从ZrON中得到充足的氧,其叠层结构阻变单元的脉冲阻变性能得到改善。

关 键 词：阻变存储器 氮 氧化反应 

分 类 号：O64[理学—物理化学]