对于高阶补偿Banba结构带隙基准源的改进分析  被引量:3

Improvement Analysis of Banba Band-gap Reference Source with High-order Compensation

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作  者:何林峰 聂海[1] 陈娇 HE Linfeng;NIE Hai;CHEN Jiao(College of Communication Engineering,Chengdu University of Information Technology,Chengdu 610225,China)

机构地区:[1]成都信息工程大学通信工程学院

出  处:《成都信息工程大学学报》2019年第5期466-469,共4页Journal of Chengdu University of Information Technology

基  金:四川省科技计划资助项目(2014FZ0050)

摘  要:Banba结构是模拟电路中基准源部分的一个基本结构。在针对高阶补偿Banba结构的带隙基准源设计中,其高阶补偿电阻的实际版图大小占整体面积的50%以上。提出了对于高阶补偿Banba结构的改进论证,主要对高阶补偿电阻的有无进行仿真分析,得到对其结构的改善方法。在经过一定的优化后可为大部分通用电路提供稳定低温漂的供电或激励。The Banba structure is a basic structure of reference source in analog circuits.In the design of bandgap reference source of basic Banba structure,the actual layout size of its high-order compensation resistance accounts for more than 50% on the total area.An improved demonstration of the high-order compensation Banba structure is proposed to mainly simulate and analyze the existence and absence of high-order compensating resistors,and then the method of improving its structure isobtained.After some optimization,it can provide stable low-temperature drift power supply or excitation for most general circuits.

关 键 词:基准源 Banba结构 带隙基准源 高阶补偿电阻 

分 类 号:TN710.4[电子电信—电路与系统]

 

参考文献:

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