三维晶体管阵列有望打破摩尔定律  

出　　处：《汽车零部件》2019年第11期4-4,共1页Automobile Parts

摘　　要：目前,用于计算机处理器的硅集成电路正接近单个芯片上晶体管的最大可行密度,至少在二维阵列中是这样。摩尔定律看似已难以维持。美国密歇根大学一研究团队却另辟蹊径,将晶体管阵列带入三维空间,在最先进的硅芯片上直接堆叠第二层晶体管。这一研究为开发打破摩尔定律的硅集成电路铺平了道路。摩尔定律认为,集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔两年便会增加一倍。目前硅集成电路的晶体管密度已接近极限。

关 键 词：锂电池 容量衰减 摩尔定律 锂枝晶 银纳米线 金属锂 复合负极材料 石墨烯 

分 类 号：TM9[电气工程—电力电子与电力传动]