TFT器件过孔腐蚀机理研究及改善  

作　　者：董康旭 孟盼盼 陈甫 邢宝宝 

机构地区：[1]合肥京东方光电科技有限公司

出　　处：《中国金属通报》2019年第12期246-250,共5页China Metal Bulletin

摘　　要：通过原电池反应模型模拟,研究了TFT器件过孔腐蚀的机理。从材料的选择、过孔的形貌、金属间界面及表面防护四个方面,提出了提升过孔抗腐蚀能力的方向和详细措施。减少金属间的电势差和去除界面电解质溶液残留,是提升TFT器件过孔抗腐蚀能力的主要方向。

关 键 词：过孔腐蚀 TFT器件 原电池腐蚀反应模型 电势差 

分 类 号：TP394.1[自动化与计算机技术—计算机应用技术]