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作 者:刘立浩[1] 王雷[1] 薛腾[1] LIU Lihao;WANG Lei;XUE Teng(The 54th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050081,China)
机构地区:[1]中国电子科技集团公司第五十四研究所
出 处:《无线电工程》2020年第3期248-252,共5页Radio Engineering
基 金:装备预研领域基金项目(61402090101)~~
摘 要:针对真空电子管类放大器的缺点,基于砷化镓芯片,研制了一款室内型Ku频段150 W固态功率放大器。在2×2对脊鳍线功率合成器和改进型波导H-T结基础上,提出了一种新型32路功率分配/合成结构。该结构具有体积小、插入损耗低和输入输出驻波好的优点。使用32片Ku频段7 W功放芯片通过32路功率分配/合成结构,成功研制了200 W功率合成模块。经测试,室内型Ku频段150 W功率放大器在13.75~14.5 GHz频率范围内1 dB压缩点输出功率大于150 W。Considering the disadvantages of the vacuum tube amplifier,an indoor Ku-band 150 W solid-state power amplifier(SSPA)is developed based on GaAs power amplifier.A novel 32-way power allocation/combining structure is introduced,which is based on 2×2 antipodal finline power combiner and improved waveguide H-plane T-junction.This structure has some advantages such as small size,low loss,better input and output VSWR.The 200 W power amplifier module is achieved based on 32 pieces of Ku-band 7 W power amplifiers and the 32-way power allocation/combining structure.The tested output power at 1 dB compression point of the indoor Ku-band 150 W SSPA is more than 150 W in 13.75~14.5 GHz.
分 类 号:TN722[电子电信—电路与系统]
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