日本团队开发新型GaN晶体制造装置  

出　　处：《半导体信息》2019年第6期8-9,共2页Semiconductor Information

摘　　要：日本科学技术厅(JST)日前宣布,成功研制出一种基于THVPE方法的高质量大块GaN生长装置,这是新扩展技术转移计划(NexTEP)的开发课题。2013年8月至2019年3月,根据东京农业科技大学Akinori Koukitsu的研究成果,日本三雄株式会社(Taiyo Nippon Sanso)的创新与研发部门进行了商业适用性开发。该研究小组开发了一种GaN晶体制造装置,实现了高速、高质量和连续生长。

关 键 词：科学技术厅 团队开发 研发部门 小组开发 研究成果 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]