关于半桥电路中抗dV/dt噪声干扰的安全工作区分析及其解决方案  

Analgsis of safe warking area aganst dv/dt noise in half-bridge circuit and its solution

作　　者：王定良 

机构地区：[1]电子科技大学电子科学与工程学院

出　　处：《电子产品世界》2020年第2期46-48,87,共4页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：作为电机驱动电路的智能功率模块(IPM)正变得越来越重要,但是越来越快的开关速度,可能会引起IPM模块中的IGBT的误触发。另外,过高的dV/dt也会在IGBT关断状态下产生雪崩击穿。本文结合半桥电路的寄生参数模型,完善传统公式的推导。基于对公式与IGBT擎住现象的分析,并结合IGBT的安全工作区提出了一种根据dv/dt的大小来动态扩展IGBT安全工作区的电路结构,改善了传统半桥电路工作时的可靠性。

关 键 词：IGBT 误触发 dV/dt 可靠性 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学] TM30[电气工程—电机]