存储Flash闪存被异常改写的原因以及系统写保护方案探究  

作　　者：孙立斌 

机构地区：[1]北京四达时代软件技术股份有限公司

出　　处：《中国新通信》2020年第4期114-114,共1页China New Telecommunications

摘　　要：Flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。在嵌入式设别常用的为Nand Flash和Nor Flash,本文中,作者结合自己在嵌入式产品项目的实际开发经验,主要探究下Nand Flash被异常改写的原因以及系统写保护方案的实现方法。

关 键 词：FLASH闪存 异常改写 探究 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]