14nm工艺光刻对准之异常问题与对策探讨  

作　　者：孙德昌 宋贵才[1] 黄羽茜 

机构地区：[1]长春理工大学,吉林长春130000

出　　处：《电子元器件与信息技术》2020年第1期11-12,17,共3页Electronic Component and Information Technology

摘　　要：一般情况下,光刻属于微纳米器件制备器件过程中十分关键的部分,无论是半导体、光电器件,还是微米纳米的机电系统,在制备工作中均需要光刻工艺的支持。然而,目前在14nm工艺光刻对准的过程中,由于会受到各种因素的影响,经常会出现一些异常的问题,所以不能确保各方面的工作效果,这也对其长远发展造成不利的影响。因此,在实际工作中应该结合14nm工艺光刻对准的异常问题发生规律与特点,采用科学合理的方式解决问题,以此提升14nm工艺光刻对准的工作效果,为其后续的使用夯实基础。

关 键 词：14nm工艺光刻对准 异常问题 对策探讨 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]