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作 者:陈墨[1] 陈成杰 包伯成[1] 徐权[1] CHEN Mo;CHEN Chengjie;BAO Bocheng;XU Quan(School of Information Science and Engineering,Changzhou University,Changzhou 213164,China)
机构地区:[1]常州大学信息科学与工程学院,常州213164
出 处:《电子与信息学报》2020年第4期870-877,共8页Journal of Electronics & Information Technology
基 金:国家自然科学基金(51777016,61801054,61601062);江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX19_1767)。
摘 要:该文报道了3神经元Hopfield神经网络(HNN)在电磁感应电流作用下的初值敏感动力学。利用非理想忆阻突触,模拟由两个相邻神经元膜电位之差引起的电磁感应电流,构建了一种简单的4维忆阻Hopfield神经网络模型。借助理论分析和数值仿真,分析了不同忆阻突触耦合强度下的复杂动力学行为,揭示了与状态初值密切相关的特殊动力学行为。最后,设计了该忆阻HNN的模拟等效实现电路,并由PSIM电路仿真验证了MATLAB数值仿真的正确性。The initial sensitive dynamics in a Hopfield Neural Network(HNN)with three neurons under the action of electromagnetic induction current is reported.A simple 4-D memristive HNN is constructed by using a non-ideal memristor synapse to imitate the electromagnetic induction current caused by membrane potential difference between two adjacent neurons.By means of theoretical analyses and numerical simulations,the complex dynamical behaviors under different coupling strengths of the memristor synapse are researched,and special phenomena closely related to the initial values are revealed.Finally,the analog equivalent realization circuit of the memristive HNN model is designed,and the correctness of MATLAB numerical simulation is verified by PSIM circuit simulations.
关 键 词:非理想忆阻突触 HOPFIELD神经网络 状态初值 数值仿真
分 类 号:TN601[电子电信—电路与系统] TN711.4
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