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作 者:尹希雷 李军[1] 代法亮 文化锋[1] 刘太君[1] YIN Xilei;LI Jun;DAI Faliang;WEN Huafeng;LIU Taijun(College of Information Science and Engineering,Ningbo University,Ningbo 315211,China)
机构地区:[1]宁波大学信息科学与工程学院,浙江宁波315211
出 处:《移动通信》2020年第5期91-96,共6页Mobile Communications
基 金:国家自然科学基金面上项目(61571251);宁波市自然科学基金(2018A610024)。
摘 要:为了进一步提高射频功放的输出能力,基于GaN HEMT功率器件,采用平衡式结构设计了一款工作频率为3.3 GHz 3.6 GHz的高效率逆F类Doherty结构射频功放。参照功放管的寄生参数等效电路网络,为获得逆F类功放理想的开关特性,设计了具有寄生参数补偿作用的谐波控制网络来抑制功放输出端的二次、三次谐波,同时结合Doherty功放结构特点,使其在6 dB功率回退的情况下仍具有较高的输出效率。仿真后,可得到其在3.3 GHz^3.6 GHz工作频带内的输出功率在40.4 dBm^41.8 dBm内,PAE为66%~77%,最大DE达到82.6%,功率回退6 dB处,功放的DE仍在69%左右,增益平坦度约为±1.5 dB。In order to further improve the output capability of RF power amplifier,this paper uses GaN HEMT power device and adopts balanced structure to design a high efficiency inverse F-class Doherty RF power amplifier with the working frequency of 3.3-3.6 GHz.According to the parasitic parameter equivalent circuit of the power amplifier tube,the inverse-F harmonic control network with parasitic parameter compensation is designed to suppress the second and third harmonics of the output end of the power amplifier,and the combination with the structural characteristics of Doherty amplifier achieves the high output efficiency of the inverse-F power amplifier even with the 6 dB power back-off.After the simulation,the output power of the amplifier in the working band of 3.3-3.6 GHz is 40.4-41.8 dBm,the PAE (power added efficiency) is 66%-77%,the maximum DE (drain efficiency) is 82.6%,the DE of the amplifier is still about 69% with 6 dBm power back-off,and the gain flatness is about±1.5 dB.
关 键 词:逆F类 DOHERTY 寄生补偿 谐波控制 高效率
分 类 号:TN722.5[电子电信—电路与系统]
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