检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:袁月乾 陈自东 马弘舸[1,2] 秦风[1,2] Yuan Yueqian;Chen Zidong;Ma Hongge;Qin Feng(Institute of Applied Electronics,CAEP,Mianyang 621900,China;Key Laboratory of Science and Technology on Complex Electromagnetic Environment,CAEP,Mianyang 621999,China;Graduate School of China Academy of Engineering Physics,Beijing 100088,China)
机构地区:[1]中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900 [2]中国工程物理研究院复杂电磁环境科学与技术重点实验室,四川绵阳621900 [3]中国工程物理研究院研究生院,北京100088
出 处:《强激光与粒子束》2020年第6期53-58,共6页High Power Laser and Particle Beams
基 金:基础科研项目(JCKY2016212B034)。
摘 要:基于PIN限幅器的等效电路模型,构建了PIN限幅器HPM效应ADS等效电路仿真模型,利用HPM注入实验和等效电路仿真相结合的方法,研究了单个微波脉冲作用下PIN限幅器的响应规律,获取了HPM作用结束后限幅器限幅持续时间与注入脉冲功率、脉宽的对应关系,并对限幅器的限幅持续过程进行了分析。仿真与实验结果表明:PIN限幅器限幅持续时间随着微波脉冲功率和脉宽的增大而变大,实验和仿真结果趋势一致,该研究使用的ADS等效电路模型可以应用于PIN限幅器的高功率微波瞬态响应特性分析研究。On the basis of equivalent circuit of PIN limiter,we constructed an equivalent circuit model for the simulation of high power microwave effect of PIN limiter.The response property of PIN limiter under the excitation of single high power microwave pulse is studied by using the equivalent circuit model and injection experiment.The evolution of the limiting duration with the injected pulse power and pulse width of the HPM is obtained.In addition,the limiting duration process is theoretically analyzed.Both the simulation and experiment show that:the limiting duration of the PIN limiter increases with the increase of the input power and pulse width of a single high microwave pulse.The experiment matches simulation very well.The ADS equivalent circuit model used in this study can be extended to investigate the transient effect of high power microwave.
关 键 词:PIN限幅器 高功率微波效应 限幅持续时间 响应特性
分 类 号:TN385[电子电信—物理电子学]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:216.73.216.63