半导体存储器芯片用高纯镍锭制备技术综述  

作　　者：张亚东 杨晓艳 柴明强 李伟 艾琳 吕锦雷 刘世红 

机构地区：[1]国家镍钴新材料工程技术研究中心,甘肃兰州730101 [2]兰州金川科技园有限公司,甘肃兰州730101

出　　处：《中国金属通报》2020年第7期252-253,共2页China Metal Bulletin

基　　金：国家重点研发技术重点基础材料技术提升与产业化重点专项4.1项目课题三(2017YFB0305403)

摘　　要：本文介绍了高纯镍材料的研究背景、应用情况、市场前景,详细介绍了高纯镍锭常用的三种真空熔炼方法,并对比了不同工艺的优缺点。结论表明:以真空电子束冷床熔炼和真空感应冷坩埚熔炼为代表的新型特种冶炼技术,是新材料制备技术的未来发展趋势。随着物联网、大数据、人工智能等新一代技术的快速发展,终端电子产品对磁存储芯片的功能要求越来越高,对铁磁性材料高纯镍锭的质量要求越来越严格,具有非常大的市场潜力。

关 键 词：半导体存储器 高纯镍锭 真空电子束冷床熔炼 真空感应冷坩埚熔炼 

分 类 号：X781[环境科学与工程—环境工程]