硼扩散机理及工艺应用技术研究  

Study on Boron Diffusion Mechanism and Technology Application

作　　者：姬常晓 黄志海 程文进 赵志然 张威 汪已淋 JI Changxiao;HUANG Zhihai;CHEN Wenjin;ZHAO Zhiran;ZHANG Wei;WANG Yilin(The 48th Research Institute of CETC,Changsha 410111,China)

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十八研究所,湖南长沙410111

出　　处：《电子工业专用设备》2020年第3期5-12,共8页Equipment for Electronic Products Manufacturing

基　　金：中国-埃及可再生能源联合实验室项目(KY201501003)。

摘　　要：针对高效晶硅太阳电池对表面扩散掺杂技术的要求,阐述了干法硼扩散掺杂原理及弊端;通过引入湿法再分布扩散方式,分析了气体流量、水汽流量和工艺匹配性等因素对硅片表面扩散效果的影响;根据和干法扩散方式在应用效果方面的对比,分析了湿法再分布扩散工艺在产业化应用方面的优点。According to the requirements of surface diffusion doping technology for high efficiency crystalline silicon solar cells,the mechanism and disadvantage of dry boron diffusion are described.With the introduction of wet redistributed diffusion method,the effects of gas flow rate,water vapor flow rate and process matching on the surface diffusion of silicon wafers are analyzed.According to the comparison of the application effect with the dry diffusion method,the advantages of the wet redistribution diffusion process in industrial application are analyzed.

关 键 词：高温扩散 干法硼扩散 湿法再分布硼扩散 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]