美研发出新型氮化镓器件 5G技术峰值速率超预期  

出　　处：《半导体信息》2020年第3期12-13,共2页Semiconductor Information

摘　　要：据报道,美国科研人员研发出了一款名为"谐振隧穿二极管"的新型氮化镓基电子器件,其应用于5G技术峰值速率超越了预期。研究人员表示:"氮化镓基‘谐振隧穿二极管’比传统材料‘谐振隧穿二极管’的频率和输出功率都高,其速率快慢的关键在于采用了氮化镓材料。"该氮化镓基"谐振隧穿二极管"打破了传统器件的电流输出与开关速率的纪录,能使应用程序(包括通信、联网与遥感)获取毫米波范围内的电磁波以及太赫兹频率。

关 键 词：谐振隧穿二极管 氮化镓基 电流输出 峰值速率 毫米波 应用程序 美国科研人员 太赫兹 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]