一种基于SiGe BiCMOS工艺的X波段4×4片上Butler矩阵设计  

作　　者：陶小辉[1,2] 李庄 荣大伟[1,2] 姜力晖 曹锐[1,2] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第三十八研究所,安徽合肥230088 [2]孔径阵列与空间探测安徽省重点实验室,安徽合肥230088

出　　处：《电脑知识与技术》2020年第21期217-218,223,共3页Computer Knowledge and Technology

摘　　要：本设计基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款X波段Butler矩阵芯片。芯片由90°耦合器、移相器、交叉耦合器组成。详细分析了芯片中个单元电路设计及可能存在的问题。测试结果表明,在9.5-10.5 GHz的设计频段内,可同时输出4个波束,插入损耗小于2.5dB。

关 键 词：波束形成 片上Butler矩阵 X波段 

分 类 号：TP311[自动化与计算机技术—计算机软件与理论]