宇航级片式钽电容器可靠性保证技术研究  

作　　者：王丽丽 曹磊 

机构地区：[1]北京七一八友益电子有限责任公司,100015

出　　处：《数码设计》2020年第8期62-63,共2页Peak Data Science

摘　　要：随着航天技术的不断发展,针对宇航工程任务的高可靠性、长寿命、特殊环境、不可维修性等特点,军用电子元器件向着了小型化、高性能、高可靠性、高环境适应性的趋势发展。本文针对宇航级片式钽电容器失效率等级达到威布尔(weibull)分布C等级、1.5倍额定电压500小时的加速应力寿命试验等高可靠性技术要求,对片式钽电容器介质层形成工艺进行了技术攻关。进一步探讨介质层形成层机理,运用EVANS公司创建的产品寿命评估模型,通过对介质层形成液、形成电流密度、形成电压、形成温度等形成因素进行正交组合试验设计,将片式钽电容器在85℃、1.5倍额定电压下直流漏电流水平降为攻关前的50%,将85℃、1.5倍额定电压下产品寿命延长一倍,极大地改善了钽电容器的介质层质量,提升了产品的固有可靠性。

关 键 词：宇航级片式钽电容 介质层形成 技术攻关 

分 类 号：TM535.1[电气工程—电器]