动静触头不同间距对真空灭弧室触头杯状电场的影响  

作　　者：卢新强 

机构地区：[1]华润电力(唐山曹妃甸)有限公司,河北唐山063000

出　　处：《电子制作》2020年第17期93-94,97,共3页Practical Electronics

摘　　要：文章利用ANSYS仿真软件建立二维真空灭弧室触头有限元模型,分析动静触头不同间距时的真空灭弧室触头杯状电场分布情况。结果表明:动静触头间距增加时,真空灭弧室整体最大场强与真空部分最大场强呈现相同的变化规律;随着动静触头间距的增加,真空灭弧室整体最大场强下降幅度较小,真空灭弧室真空部分最大场强下降幅度较大。研究结果可为优化真空灭弧室内的电场分布提供依据。

关 键 词：主屏蔽罩 真空灭弧室 触头杯状 电场分布 

分 类 号：TM561.5[电气工程—电器]