基于H桥级联型静止无功发生器的分析和探讨  

作　　者：罗韶平 

机构地区：[1]上海市政工程设计研究总院(集团)有限公司

出　　处：《电气时代》2020年第9期58-61,共4页Electric Age

摘　　要：介绍了H桥级联型静止无功发生器的主电路拓扑图及其基本工作原理,进一步对其控制原理和无功指令电流检测方法做了详细介绍,并对比了目前几种主流主电路的拓扑形式,分析了H桥级联型静止无功发生器的优缺点和应用前景。大功率半导体开关器件经历了晶闸管和GTO,发展到IGBT、IGCT等高性能复合器材。

关 键 词：静止无功发生器 晶闸管 指令电流检测 IGCT GTO 主电路拓扑 拓扑形式 控制原理 

分 类 号：TM761.12[电气工程—电力系统及自动化]