低磁耦合源极负反馈电感可帮助28GHz CMOS下变频混频器打入5G市场  

作　　者：Changyeol Kim Minsu Kim Yangji Jeon Ockgoo Lee Ju Ho Son Ilku Nam 

机构地区：[1]韩国釜山国立釜山大学电气工程学系 [2]韩国京畿三星电子

出　　处：《磁性元件与电源》2020年第8期142-145,共4页Components and Power

摘　　要：本文将介绍一种采用了微分(derivative)叠加线性化技术的28GHz CMOS毫米波下变频混频器,以及我们为5G蜂窝通信系统所设计的低耦合源负反馈电感器,以此来改善下变频混频器的线性性能。在的情况下,本文所提出的低磁耦合源极负反馈电感器可避免原理图设计(不考虑磁耦合)与布局设计中(考虑了源极负反馈电感器引起的磁耦合效应)之间的线性退化差距。带有本地振荡器缓冲器的下变频混频器是通过采用65nm CMOS技术实现,并且IV电源电压时的电流为21m A。在26.5-29.5GHz的频率范围内,它的增益为10.1dB,噪声系数低于10dB,三阶输出截取点为19.3dBm。

关 键 词：CMOS 毫米波 混频器 5G应用 

分 类 号：TN7[电子电信—电路与系统]