Si掺杂化学共沉淀法制备氧化锌压敏电阻  

作　　者：马雪丽 王月茜 刘成 

机构地区：[1]西安市西无二电子信息集团有限公司,陕西省西安市710015

出　　处：《电子技术与软件工程》2020年第19期230-231,共2页ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

摘　　要：本文在ZnO压敏电阻器的配方中掺入Si元素替换Cr元素,工艺上采用化学共沉淀法制备纳米粉体材料,通过化学共沉淀法制备制备了高纯、超细、均匀的优质复合粉体。掺杂Si后烧结过程中阻碍了晶粒长大,提高了压敏电阻梯度,该方法把梯度由原来的(200-220)V/mm由提高到(350-380)V/mm。添加剂的总质量减少40%以下,烧结温度降低了50℃。有效提高了性能,降低了生产成本。

关 键 词：化学共沉淀法 氧化锌压敏电阻 梯度 8/20 波形 

分 类 号：TB383.3[一般工业技术—材料科学与工程] TM54[电气工程—电器]