PbTiO3/SrTiO3(010)界面位错与电子富集的研究  

Characterization of Dislocation and Electron Aggregation at(010)PbTiO3/SrTiO3 Heterointerface

作　　者：吴凯[1] Kai Wu(College of Chemistry and Molecular Engineering,Peking University,Beijing 100871,P.R.China)

机构地区：[1]北京大学化学与分子工程学院,北京100871

出　　处：《物理化学学报》2020年第11期26-28,共3页Acta Physico-Chimica Sinica

摘　　要：1背景介绍钙钛矿氧化物界面的物理特性,可以通过晶格匹配、应力、极化场等参数进行有效的调控,组合多种优异性质以实现复合功能与多场调控。在铁性异质结材料中,晶格缺陷也可以作为界面调控的手段之一。例如,位错附近的晶格畸变会使铁电材料产生局域应变场,造成局域自发极化强度的显著变化^1。

关 键 词：钙钛矿氧化物 界面调控 铁电材料 复合功能 晶格缺陷 SRTIO3 晶格匹配 PBTIO3 

分 类 号：O772[理学—晶体学]