中科院微电子所在器件物理领域取得重要进展  

在线阅读下载全文

出  处:《微纳电子与智能制造》2020年第3期92-92,共1页Micro/nano Electronics and Intelligent Manufacturing

摘  要:传统的三维半导体材料表面存在大量的悬挂键,可通过捕获和散射等方式影响和限制自由载流子的运动,因此表面态的设计、制造和优化是提高三维半导体器件性能的关键因素。类似于三维半导体材料的表面态,单层二维材料(如二硫化钼和石墨烯)在边界原子的终止和重建可以产生边界态,这使二维材料产生了许多独特的现象,使其得到广泛的应用。

关 键 词:半导体材料 自由载流子 表面态 微电子所 二维材料 器件物理 悬挂键 二硫化钼 

分 类 号:TN304[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

正在载入数据...

 

二级参考文献:

正在载入数据...

 

耦合文献:

正在载入数据...

 

引证文献:

正在载入数据...

 

二级引证文献:

正在载入数据...

 

同被引文献:

正在载入数据...

 

相关期刊文献:

正在载入数据...

相关的主题
相关的作者对象
相关的机构对象