基于GaN技术的大功率T/R组件可靠性设计与分析  

Reliable Design and Analysis of High Power T/R Module Based on GaN Technology

作　　者：彭祥飞 江浩 邓林[1] PENG Xiang-fei;JIANG Hao;DENG Lin(No.29 Research Institute of CETC,Chengdu 610036,China)

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第29研究所,成都610036

出　　处：《装备环境工程》2020年第12期115-118,共4页Equipment Environmental Engineering

基　　金：国防科工局技术基础科研项目(JSZL2016210B001)。

摘　　要：结合T/R组件的工作原理,对影响大功率T/R组件可靠性的关键技术进行了设计与分析。通过与现有的基于GaAs技术的T/R组件设计电路对比分析,阐述了基于Ga N技术的大功率、高可靠性T/R组件的电路设计方法。Combined with the working principle of T/R module,the key technologies affecting the reliability of high-power T/R module were designed and analyzed.Compared with the existing T/R module design circuit based on GaAs technology,the circuit design method of high power and high reliability T/R module based on GaN technology was described.

关 键 词：T/R组件 GaN芯片 高可靠性 电路设计 热设计 

分 类 号：TN957[电子电信—信号与信息处理]