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作 者:贺琦祺 刘天一 吴远帅 刘青喜 杨克聪 石胜伟 HE Qiqi;LIU Tianyi;WU Yuanshuai;LIU Qingxi;YANG Kecong;SHI Shengwei(School of Materials Science and Engineering,Wuhan Institute of Technology,Wuhan 430205,China;Ningbo Aerfa Pharmaceutical Chemical Co.,Ltd,Ningbo 315099,China)
机构地区:[1]武汉工程大学材料科学与工程学院,湖北武汉430205 [2]宁波阿迩法医药化工有限公司,浙江宁波315099
出 处:《武汉工程大学学报》2021年第1期21-29,共9页Journal of Wuhan Institute of Technology
基 金:湖北省自然科学基金(2019CFC862);发光材料与器件国家重点实验室开放基金(2019-skllmd-14)。
摘 要:自旋交叉配合物[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)在室温附近表现出较宽的温度磁滞现象,在光热开光、信息显示以及数据存储等方面具有潜在的应用,是目前自旋交叉领域最值得关注的配合物之一。本文主要从材料合成方法、性能影响因素以及器件应用等方面对[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)分子材料近十年来的研究进展进行了系统的介绍。[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的合成方法主要有简单混合和反相胶束法,此外为了消除合成过程中的分子团聚,通常在反应体系中引入具有较大比表面积的分散基质,比如介孔二氧化硅、氧化石墨烯等;自旋交叉性能的影响因素主要包括表面活性剂、分子内的结晶水、外部压强、热退火以及机械球磨等;器件应用方面主要从[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)分子薄膜的制备出发,讨论了相关的器件应用进展。最后,本文对[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的最新研究进展进行了总结,并对[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的未来发展趋势进行了展望。而[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的新型薄膜制备工艺可以为相关器件制备打下扎实的基础,从而推动自旋交叉配合物的应用发展。The spin crossover complex of[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)exhibits a wide temperature-induced magnetic hysteresis near room temperature,and it is one of the star complexes which deserves the most attention in the field of spin crossover due to its potential applications in optical/thermal switching,information display and data storage,etc.This paper mainly summarizes the progress of[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)molecular material in recent ten years including the synthesis routes,impact factors and device applications.The synthesis routes of[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)can be mainly divided into simple blending and inversed micelle methods.In addition,to eliminate the molecular agglomeration during the synthesis,dispersion mediums such as mesoporous silica,graphene oxide with large specific surface area are generally introduced to the reaction system.The impact factors of spin crossover property mainly include surfactants,intramolecular crystal water,external pressure,thermal annealing and mechanical ball milling.Device applications are discussed from the fabrication of molecular films of[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)to the progress of different devices.Finally,the recent progress of[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)are summarized together with the perspective to the future directions.In the future step,the novel techniques of film preparation for[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)may provide solid foundations for related device fabrication,pushing the development of device application for spin crossover complexes.
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