金属氧化物半导体SO2气体传感器的研究现状  

Research status of SO gas sensors based on metal oxide semiconductor

作　　者：刘航[1] 王秋晨 于兰伊 王林康 LIU Hang;WANG Qiuchen;YU Lanyi;WANG Linkang(School of Electrical Engineering and Computer,Jilin Jianzhu University,Changchun 130118,China)

机构地区：[1]吉林建筑大学电气与计算机学院,吉林长春130118

出　　处：《传感器与微系统》2021年第2期1-3,11,共4页Transducer and Microsystem Technologies

基　　金：吉林省科技厅项目(20190303064SF);吉林省产业技术研究与开发专项项目(2019C048-4)。

摘　　要：介绍了气敏机理,总结了近年来国内外基于金属氧化物半导体的SO2气敏材料的研究现状,指出了基于金属氧化物半导体SO2气体传感器的不足之处,提出设计复合材料、优化合成方法是提高SO2气敏材料敏感特性的研究方向。Gas sensing mechanism is introduced. Research status of SO2 gas sensitive material based on metal oxide semiconductor in recent years is reviewed. Disadvantage of Sn O2 gas sensors based on metal oxide semiconductor are pointed out. Improving sensitive properties of SO2 gas sensitive materials,designing composite materials and optimizing synthesis method are the research directions.

关 键 词：SO2传感器 金属氧化物半导体 复合材料 

分 类 号：TP212.2[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]