三菱将推出四端子1200V SiC-MOSFET产品  

出　　处：《半导体信息》2020年第6期5-5,共1页Semiconductor Information

摘　　要：三菱电机宣布即将推岀新的SiC MOSFET系列,即采用TO-247-4封装的N系列1200V器件,与现有的TO-247-3封装产品相比,其开关损耗可降低30%。该公司表示,新系列将有助于减少需要高压转换的电源系统的功耗和物理尺寸,例如电动汽车车载充电器和光伏电源系统。样品将于今年11月开始出货。

关 键 词：三菱电机 光伏电源系统 开关损耗 物理尺寸 电动汽车 车载充电器 MOSFET SiC 

分 类 号：TM9[电气工程—电力电子与电力传动]