两端子Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池串联的光伏特性  

作　　者：王宏[1] 

机构地区：[1]大同煤炭职业技术学院,山西大同037003

出　　处：《广西物理》2020年第4期7-12,共6页Guangxi Physics

摘　　要：Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物及其合金的多结太阳电池(重点是GaInP/GaAs叠层电池)有多种直接带隙材料可供选择,因为是直接带隙,其吸收系数高,吸收范围为1~2eV,非常适宜于太阳电池。本文将要建立串联的、两端子的、两结器件模型,并在该模型下对光谱、温度方面的依赖特性进行了分析,讨论其性能,重点做了如何选择带隙和预测相应结构的效率,为多结串联器件的定量理解及定量设计提供基础。虽然重点是两结电池,某些地方也讨论了三结器件GaInP/GaAs/Ge,因为它的技术在空间应用商业化上特别成功。

关 键 词：GaInP/GaAs叠层电池 直接带隙 量子效率 最大功率点 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理]