功率因素校正电路旁路二极管的作用  

The function of the bypass diode in power factor correction

作　　者：刘松 刘瞻 曹雪 卢森茂 

机构地区：[1]万国半导体元件(深圳)有限公司,上海200070

出　　处：《电子产品世界》2021年第3期74-77,97,共5页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：本文总结了功率因素校正电路加旁路二极管作用的几种不同解释:减少主二极管的浪涌电流;提高系统抗雷击的能力;减少开机瞬间系统的峰值电流,防止电感饱和损坏功率MOSFET。具体分析了输入交流掉电系统重起动,导致功率MOSFET驱动电压降低、其进入线性区而发生损坏,才是增加旁路二极管最重要、最根本的原因。给出了在这种模式下,功率MOSFET发生损坏的波形和失效形态,同时给出了避免发生这种损坏的几个措施。

关 键 词：功率因素校正 旁路二极管 线性区 欠压保护 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]