大气压氩气直流放电一维仿真电子崩分析  

作　　者：王薇 李洪超 

机构地区：[1]沈阳理工大学

出　　处：《电子世界》2021年第5期65-66,共2页Electronics World

摘　　要：针对大气压氩气直流放电,建立一维仿真模型,设置了初始电子的密度和确切位置,通过求解,得到如下结果:初始电子崩由阴极的初始电子碰撞电离产生,电子碰撞电离产生17代电子之前,电子每发生一次碰撞电离走过的路程和时间都几乎未发生变化,电子漂移的速度是恒定的,电子崩的发展速度是恒定的,在17代电子到20代电子时,电子每发生一次碰撞电离走过的路程和时间变长,电子漂移速度减慢,且电子在从初始位置走到0.9mm时,电子数随位置变化曲线呈指数型,在0.9mm后电子数分布在指数趋势线下,仿真分析结果与reather相关理论描述的相一致。

关 键 词：电子崩 电子碰撞电离 电子漂移 大气压 理论描述 直流放电 一维仿真 初始位置 

分 类 号：TP3[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]