二元氧化物忆阻器材料及其在突触领域研究进展  

作　　者：周小霞 邵一凡 杨晗 王敬蕊[1] 

机构地区：[1]宁波工程学院,浙江315211

出　　处：《数码设计》2021年第8期173-174,共2页Peak Data Science

摘　　要：近几年该材料在突触仿生功能的运用,让人们对人造神经网络有了更深一步的认识,同时也被认为实现高效脑人工神经网络的独特器件。本文将综述近几年研究的二元氧化物材料,如:ZnO、TiOx、SiOx、WOx、HfOx、TaOx、ZrOx氧化物材料关于突触仿生功能的实现,也将概述氧化物材料特点、目前采用的制备为忆阻器的方法、突触领域的现有研究,并展望未来该领域的更多可能性。

关 键 词：二元氧化物 忆阻器 神经元 突触 

分 类 号：TN606[电子电信—电路与系统]