Ag/BiFeO_(3)/CoFeB/ITO薄膜器件光控电阻开关特性研究  

作　　者：李秀林 陈鹏[1] 

机构地区：[1]西南大学物理科学与技术学院,重庆400715

出　　处：《科学技术创新》2021年第11期5-6,共2页Scientific and Technological Innovation

基　　金：国家自然科学基金项目;项目编号:51372209。

摘　　要：采用射频磁控溅射技术在ITO衬底上制备了BiFeO_(3)/CoFeB双层膜。在Ag/BiFeO_(3)/CoFeB/ITO结构中观察到双极性电阻开关效应。样品的电阻开关特性可以通过白光调制。本工作可用于Ag/BiFeO_(3)/CoFeB/ITO纳米薄膜器件探索光学控制非易失性存储器器件中的多功能材料和应用。

关 键 词：Ag/BiFeO_(3)/CoFeB/ITO 电阻开关 光控 

分 类 号：O484[理学—固体物理]