六方氮化硼的低压化学气相沉积制备及其石蜡转移工艺  

作　　者：顾嫣芸 王帅 缪鑫 姚杰 万茜 

机构地区：[1]江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心,江苏无锡214122

出　　处：《产业创新研究》2021年第10期89-92,共4页Industrial Innovation

摘　　要：本文采用低压化学气相沉积法,通过控制生长时间在铜箔表面制备出h-BN,并利用热氧化法将未被h-BN覆盖的铜箔表面氧化,使h-BN与氧化铜箔在显微镜下对比明显,随后采用石蜡转移的方法将生长的h-BN从铜箔转移到目标衬底上。利用光学显微镜,扫描电子显微镜,原子力显微镜、拉曼光谱仪和双光束紫外-可见分光光度计对生长的h-BN进行表征。结果表明:石蜡转移的三角形h-BN纳米片表面平整,尺寸约为10μm,厚度约1nm,得到的h-BN薄膜具有表面洁净度高和连续均匀等优点,h-BN薄膜在1370cm-1处有显著拉曼特征峰,测得的紫外可见吸收光谱表明h-BN薄膜透明度高,其光学带隙在5.75eV左右。与传统的PMMA转移h-BN样品相比,由于石蜡在h-BN等二维材料薄膜表面较低的化学反应活性与非共价亲和性,使用石蜡作为支撑层得到的h-BN表现出更平滑与更洁净的表面。

关 键 词：六方氮化硼 三角形 石蜡转移 硼烷氨络合物 低压化学气相沉积 

分 类 号：TQ128[化学工程—无机化工]