一种三相功率驱动电路  

作　　者：李金宝 李贵娇 尹宏程 

机构地区：[1]中国兵器工业第214研究所

出　　处：《电子世界》2021年第7期180-181,共2页Electronics World

摘　　要：在传统的三相桥式电路中,主电路功率开关器件常采用IGBT或MOSFET等全控型器件,应用分立器件来构成门极驱动电路是至今常用的方法之一。由于分立元件的温度漂移性,版图排列的分布参数等问题难以很好解决,加之每一个MOS门功率器件需一个门极驱动电路,多功率MOS门器件系统应用这种驱动电路复杂而庞大,使应用受到了极大限制。

关 键 词：门极驱动电路 分立器件 分立元件 功率器件 功率开关器件 MOS 温度漂移 全控型器件 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]