Ce掺杂AlN纳米线的合成和发光特性  

作　　者：于信舜 李俊红 王秋实[1] 

机构地区：[1]渤海大学物理科学与技术学院,辽宁锦州121013

出　　处：《科教导刊（电子版）》2021年第10期146-147,共2页The Guide of Science & Education (Electronic Edition)

摘　　要：在氮气的气氛中,以Al和CeO2混合粉体为原料,在直流电弧放电装置中采用直接氮化法合成了Ce掺杂AlN纳米线。利用X射线衍射(XRD)、能量色散光谱仪(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)对纳米线的结构和形貌进行了检测与分析。结果表明,Ce^(3+)离子成功的掺杂进了AlN晶格中,纳米线的长度为2-10 m。利用PL光谱研究了纳米线的光学特性。发光中心在468 nm处源于Ce3+离子5d-4f的跃迁,表明Ce掺杂AlN纳米线在电子和光电子纳米器件的应用中具有巨大的潜力。

关 键 词：AlN:Ce 稀土掺杂 光致发光 直流电弧等离子体法 

分 类 号：TQ133.1[化学工程—无机化工]