抛物量子点的非线性光学折射率变化  

Nonlinear Optical Refractive Index Change of Parabolic Quantum Dots

作　　者：段一名 李学超 张粮成 Duan Yiming;Li Xuechao;Zhang Liangcheng(Anhui University of Science and Technology,Huainan 232001,China)

机构地区：[1]安徽理工大学,安徽淮南232001

出　　处：《廊坊师范学院学报（自然科学版）》2021年第2期46-50,共5页Journal of Langfang Normal University(Natural Science Edition)

基　　金：国家自然科学基金(61775087,11674312,51702003);安徽省自然科学基金(1508085QF140,1808085ME130);安徽省高校优秀青年人才支持计划(gxyqZD2018039)。

摘　　要：详细研究了GaAs/AlGaAs抛物线形量子点(QDs)在电场和磁场作用下的折射率的变化。通过使用密度矩阵理论和迭代的方法,可以得到线性和非线性子带间的折射率变化(RIC)的解析表达式。计算结果表明,入射光强度、QDs的半径、宽度以及施加的电场和磁场对系统的折射率变化有很大影响,进而为研究抛物线形量子点的非线性光学折射率变化提供了必要的理论依据。The changes in refractive index of GaAs/AlGaAs parabolic quantum dots(QDs)under the action of electric and magnetic fields are studied in detail.By using density matrix theory and iterative methods,an analytical expression of the refractive index change(RIC)between linear and nonlinear subbands can be obtained.Finally,the results of calculation show that the incident optical intensities,the radius and width of QDs,and the applied electric and magnetic fields have a great influence on the refractive index change of the system.Furthermore,it provides the necessary theoretical basis for studying the nonlinear optical refractive index change of parabolic quantum dots.

关 键 词：量子点 折射率 密度矩阵理论 入射光强度 非线性光学 

分 类 号：O437.1[机械工程—光学工程]