超强半导体  

作　　者：GmggH.Jessen 

机构地区：[1]不详

出　　处：《科技纵览》2021年第4期36-42,共7页IEEE Spectrum

摘　　要：在本刊2002年5月刊中,已故的莱斯特·F.伊斯曼(Lester F.East-man)和乌梅什.K.米什拉(Umesh K.Mishra)谈到了当时功率半导体界的一项大胆技术:氨化家(GaN)。对于强大耐用的射频放大器在当时新兴的宽带无线网络、雷达以及电网功率切换应用中的使用前景,他们表达了乐观的看法。他们称氮化嫁器件为“迄今为止最坚固耐用的晶体管”伊斯曼和米什拉是对的。氮化家的宽带隙(使束缚电子自由断裂并有助于传导的能量)和其他性质让我们能够利用这种材料承受高电场的能力,制造性能空前的器件。

关 键 词：功率半导体 射频放大器 宽带无线网络 束缚电子 高电场 氮化嫁 宽带隙 伊斯曼 

分 类 号：TN9[电子电信—信息与通信工程]