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作 者:张英贤 曾敏[1] 胡鹏飞 ZHANG Ying-xian;ZENG Min;HU Peng-fei(South China University of Technology,Guangzhou 510640,China)
机构地区:[1]华南理工大学机械与汽车工程学院,广东广州510640
出 处:《电力电子技术》2021年第6期49-51,55,共4页Power Electronics
基 金:国家支撑计划(2018YFD0400903);轻合金加工科学与技术国防重点学科实验室开放基金(EG201780504)。
摘 要:针对大功率高频氧化电源次级输出整流器件损耗大的特点,相比采用整流二极管,使用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)可实现同步整流输出,降低其输出损耗。此处介绍了同步整流技术的原理,分析了传统同步整流时序的不足,改进优化了同步整流时序并设计制作基于同步整流技术的大功率高频氧化电源样机。通过实验比较分析,当电源模块输出电流达到满载输出时,次级同步整流MOSFET 比传统肖特基二极管(SBD)降低约2.2%的功率损耗,整机电源工作效率可提高至93%。For the loss of high-power and high-frequency oxidation power supply secondary output rectifier device,power metal oxide semiconductor field effect transistor(MOSFET)is used instead of traditional rectifier diode to realize secondary synchronous rectification output,which can reduce its output loss.The principle of synchronous rectification technology is introduced,analyzes shortcomings of traditional synchronous rectification timing,improves and optimizes synchronous rectification timing.A high-power high-frequency oxidation power supply prototype is designed and manufactured based on synchronous rectification technology.The experimental results indicate that the secondary synchronous rectifier MOSFET reduces power loss by approximately 2.2%compared to conventional Schottky rectifier diodes(SBD),and power supply efficiency can be increased to 93%when the power module reaches the maxium output.
分 类 号:TN86[电子电信—信息与通信工程]
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