《晶体生长微观机理及晶体生长边界层模型》书评  

作　　者：王继扬 

机构地区：[1]不详

出　　处：《人工晶体学报》2021年第6期1180-1181,共2页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：殷绍唐先生所著《晶体生长微观机理和晶体生长边界层理论模型》一书由科学出版社在年前出版了,尽管早已读过这本书的初稿,出版后重学此书,还是收获和感慨良多。功能晶体是现代高技术发展和许多重大工程所不可或缺的重要基础材料。我国的光电功能晶体研究和发展自20世纪50年代中期起步,20世纪70年代后走上独立自主发展的道路,阴离子基团理论的提出,偏硼酸钡(BBO)、三硼酸锂(LBO)和氟硼铍酸钾(KBBF)等"中国牌"晶体被发明。

关 键 词：晶体生长 偏硼酸钡 边界层理论 三硼酸锂 阴离子基团理论 KBBF 功能晶体 微观机理 

分 类 号：O78[理学—晶体学]