基于硅微孔阵列自滤光肖特基二极管光探测器的研究  

作　　者：张涛[1] 于永强[1] 

机构地区：[1]合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥230601

出　　处：《电子制作》2021年第13期60-63,6,共5页Practical Electronics

摘　　要：本文以构建自滤光肖特基光探测器为目的,利用Silvaco TCAD三维仿真设计探究微孔陷光结构对光探测器性能影响,通过光刻和感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀等微加工工艺,制备硅微孔阵列结构,湿法转移石墨烯电极,构建了硅微孔阵列/石墨烯肖特基二极管。光电特性表征发现,器件具有自滤光、可见光盲的近红外窄带响应,1064 nm为中值波长,且半峰宽为96 nm左右的自滤光窄带近红外响应特性,探测率高达3×10^(12)Jones,响应度达0.39A/W,高于普通plane Si/Gr肖特基二极管光探测器7倍以上。

关 键 词：Silvaco TCAD 硅微孔阵列 肖特基结 石墨烯 自滤光 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]