新型二维SiSe的能带结构与塞贝克系数的第一性原理计算  

作　　者：杨萧玥 

机构地区：[1]西南大学物理科学与技术学院

出　　处：《电子世界》2021年第10期73-74,共2页Electronics World

摘　　要：能够把热能直接转化成电能的热电材料近几年被广泛研究,我们采用第一性原理计算和玻耳兹曼输运理论研究了一种新型二维Si Se单层在300 K、400 K、500 K三种温度下的塞贝克系数。计算结果表明,当载流子浓度约为10~6cm~(-2)时,n型SiSe单层的塞贝克系数在500 K下可达1490μV K-1,p型Si Se单层的塞贝克系数可达1576μVK-1,这说明SiSe可能是一种有潜力的热电材料。

关 键 词：塞贝克系数 第一性原理计算 玻耳兹曼 输运理论 热电材料 能带结构 载流子浓度 单层的 

分 类 号：P22[天文地球—大地测量学与测量工程]