垂直腔面发射半导体激光器关键技术及产业化  

作　　者：张星[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033 [2]长春中科长光时空光电技术有限公司,吉林长春130102

出　　处：《科技成果管理与研究》2021年第6期92-92,F0003,共2页Management And Research On Scientific & Technological Achievements

基　　金：中国科学院科技服务网络计划项目(项目编号:KFJ-STS-SCYD-310)资助.

摘　　要：垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)是激光发射方向与芯片表面垂直的新型半导体激光器。VCSEL的垂直短腔结构使其阈值电流可低至毫安量级,适合配置到各种供电资源有限的便携式设备或子系统中;VCSEL可通过二维面阵结构提高输出功率,而整个阵列使用单个透镜整形即可发出平行光,满足远距离探测或照明的应用要求。

关 键 词：半导体激光器 阈值电流 激光发射 便携式设备 远距离探测 VCSEL 短腔 平行光 

分 类 号：TN2[电子电信—物理电子学]