基于同步辐射加速器的康普顿背散射γ射线源(Ⅱ)产生亚GeV量级γ光子的数值计算  

Backward Compton Scattering γ-Ray Source Based on Synchrotron Radiation Facility (Ⅱ) Numerical Calculation of GeV γ-Ray Production

作　　者：蔡翔舟[1] 顾嘉辉[1] 郭威[1] 沈文庆[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海原子核研究所,上海201800

出　　处：《高能物理与核物理》2002年第12期1309-1315,共7页High Energy Physics and Nuclear Physics

基　　金：中国科学院九五基础研究重大项目资助~~

摘　　要：提出在筹建的上海同步辐射装置上建造一条亚GeV量级γ束线站 ,采用nm波长的紫外激光与储存环中 3 .5GeV电子束进行康普顿背散射 ,从而获得能区为 3 0 0— 870MeV的γ光子束 .该光子束具有高强度、高极化度 (线和圆极化 )、准单色、方向性好的优点 .文中结合储存环参数给出了光子束性能的数值结果 ,并探讨了相互作用区和标记位置的选择方案 .We propose to build a GeV γ-ray beam line, Shanghai laser Electron Gamma Source-Ⅱ (SLEGS-Ⅱ), at the Shanghai Synchrotron Radiation Facility (SSRF). By Backward Compton Scattering (BCS) of ultraviolet laser from 3.5 GeV electrons of SSRF, high intense quasi-monochromatic BCS γ-rays with high linear or circular polarization ranging 300-870MeV will be produced. In this paper, we present the outline of SLEGS-Ⅱ and the properties of BCS γ-ray with numerical computation based on the major parameters of SSRF storage ring. The selection of interaction region and tagging position is discussed.

关 键 词：加速器 Γ射线源 亚GeV量级 γ光子 数值计算 康普顿背散射光子 同步辐射 散射电子标记 光子束 

分 类 号：O572.21[理学—粒子物理与原子核物理]