一种推推介质振荡器的设计  

作　　者：张献武[1] 王增双 焦世民 表宏章 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《新型工业化》2021年第4期113-115,共3页The Journal of New Industrialization

摘　　要：本文基于GaAs HBT工艺研发了一款推推介质振荡器负阻芯片,并在此基础上设计了一种新型微带耦合形式的推推介质振荡器。文中采用电磁仿真和电路仿真结合的方式对推推介质振荡器进行整体仿真,并制作实物进行了试验验证,由于采用了推推介质振荡器结构,相比传统直接振荡方式具有更低的相位噪声。测试结果表明:新型微带耦合形式的推推介质振荡器工作电压:+5V,振荡器输出中心频率:21.97GHz,电流:100mA,1/2谐波抑制:≥25dB,相位噪声:-98dBc/Hz@10kHz,-122dBc/Hz@100kHz,-142dBc/Hz@1MHz。

关 键 词：推推 介质振荡器 GaAs HBT 相位噪声 

分 类 号：TN752[电子电信—电路与系统]