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作 者:袁绶章[1] 赵文 孔金丞[1] 王静宇[1] 姜军[1] 赵增林[1] 姬荣斌[1] YUAN Shouzhang;ZHAO Wen;KONG Jincheng;WANG Jingyu;JIANG Jun;ZHAO Zenglin;JI Rongbin(Kunming Institute of Physics,Kunming 650223,China)
出 处:《红外技术》2021年第7期615-621,共7页Infrared Technology
摘 要:采用传统布里奇曼法生长碲锌镉晶体,在配料过程中添加适当过量的Cd,并在晶体生长结束阶段的降温过程中加入晶锭原位退火工艺,晶体的第二相夹杂缺陷得到了有效抑制。根据晶体第二相夹杂缺陷的形成机理,结合热扩散理论和碲锌镉晶体的P-T相图,研究了退火温度对晶体第二相夹杂缺陷密度和粒度(尺寸)的影响,获得了抑制碲锌镉晶体第二相夹杂缺陷的退火条件。利用优化的退火条件制备碲锌镉晶体,晶体第二相夹杂缺陷的尺寸小于10μm,密度小于250 cm^(-2)。Second-phase-inclusion defects in Bridgman-grown CdZnTe crystals were decreased via post-growth in-situ annealing combined with excess Cd in CdZnTe ingots.Based on the formation mechanism of the second-phase-inclusion defects in Bridgman-grown CdZnTe,the relationship between second-phase-inclusion defects and annealing temperature was studied.The size of second-phase-inclusion defects was reduced to less than 10μm and their density to less than 250 cm^(-2) in CdZnTe at an optimized in-situ post-annealing temperature.
分 类 号:TB34[一般工业技术—材料科学与工程]
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