SiP薄弱点置球缺陷演化的热响应特性研究  

作　　者：苏步升 吕立明[1] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999

出　　处：《中国设备工程》2021年第16期106-109,共4页China Plant Engineering

摘　　要：SiP(System in a Package)的微型化趋势对产品提出了更高的可靠性及稳定性。周期循环载荷的加载使得层间置球裂纹缺陷成为了SiP的薄弱点。本文模拟内部球体裂纹缺陷演化过程,基于有限元方法仿真计算提取Sn63Pb37置球裂纹尖端热应力及应变能密度响应特性来确定球体裂纹的断裂特征长度。结果表明,置球最大应力点在裂纹尺寸小时位于头部附近,尺寸大时位于裂纹尖端。裂纹尖端应力响应随裂纹尺寸的增加先线性增加再非线性增加,最终趋于稳定。通过转折点确定球体裂纹的特征长度,基于Darveaux疲劳寿命模型计算含球体裂纹的寿命比普通置球寿命短20%。

关 键 词：SIP 置球 缺陷演化 热响应 疲劳寿命 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]