功率半导体晶元浪涌击穿的分析与研究  

Analysis and research on surge breakdown of power semiconductor crysta

作　　者：王少辉 项永金 

机构地区：[1]格力电器(合肥)有限公司,合肥230088

出　　处：《电子产品世界》2021年第9期85-88,共4页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：整流桥击穿短路失效,故障表现为桥堆内部二极管晶元浪涌击穿。本文从整流桥失效机理、器件结构、生产过程可靠性等方面分析,通过采用X-ray、超景深微镜、QT2等设备对器件进行全面分析论断。通过研究分析发现,此故障为晶元焊接后清洗不良所致,焊接过后晶元周围多余焊料未清洗干净,导致晶元耐电压能力下降。整改从清洗环节入手,通过更改清洗溶液比重,以及建立报警和可追溯机制,杜绝此故障发生。

关 键 词：晶元 锡渣 清洗不良 浪涌击穿 比重 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]