低温溅射硫化铜薄膜正极及其储锂性能研究  

作　　者：黄智月 张红[1] 王星辉 

机构地区：[1]福州大学,福建福州350108

出　　处：《科技与创新》2021年第19期62-63,65,共3页Science and Technology & Innovation

摘　　要：采用射频磁控溅射方法低温制备硫化铜薄膜正极,研究了硫化铜薄膜作为锂离子电池正极的储锂性能。结果表明,硫化铜薄膜正极具有较高的放电面积比容量,在10μA/cm2的电流密度下,第二次放电面积比容量为71.5 uAh/cm2,循环50次后,电极的放电面积比容量仍有37.5μAh/cm2,所以该低温溅射的硫化铜薄膜正极具有集成于集成电路的潜力。

关 键 词：射频磁控溅射 硫化铜薄膜 全固态薄膜锂电池 正极 

分 类 号：TM912.9[电气工程—电力电子与电力传动]