反应浓度对ZnO纳米线场发射性能的影响  

作　　者：张舒婷 王浚宇 李洁 

机构地区：[1]华东光电集成器件研究所 [2]谱尼测试集团股份有限公司

出　　处：《电子世界》2021年第19期35-36,共2页Electronics World

摘　　要：在电磁学发展史上,金属场发射理论的建立为场发射领域发展的基础,场发射自从1928年以来,就成为了研究热门领域之一,场发射器件应用于许多领域,如场发射扫描电子显微镜和平板显示器等设备仪器。然而,近年来,场发射应用面临着缺乏高质量、高效、稳定的场发射材料的问题。由于缺乏良好的场发射阴极材料,场发射技术在国内外实际生产中却较少地运用。

关 键 词：场发射扫描电子显微镜 平板显示器 场发射阴极 设备仪器 ZNO纳米线 反应浓度 电磁学 场发射性能 

分 类 号：TP3[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]